Коллекция Сравнение
RGT8NS65DGTL
Номер запчасти：
RGT8NS65DGTL
Классификация продуктов：
Дискретные полупроводниковые изделия
Производитель：
ROHM Semiconductor
Описание：
IGBT TRENCH FS 650V 8A LPDS
Упаковка：
Cut Tape (CT)
Состояние ROHS：
Yes
Валюта：
USD
PDF:
Купить сразу Добавить в корзину
Запасы 1600
Минимум : 1
Количество
Стоимость единицы
Цены
1
2.03
2.03
10
1.29
12.9
100
0.87
87
500
0.7
350
Спецификация
  • Статус детали
    Active
  • Тип монтажа
    Surface Mount
  • Мощность - Максимальная
    65 W
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Корпус
    TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Поставщик Устройство Корпус
    LPDS
  • Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.)
    650 V
  • Ток коллектора (Ic) (макс.)
    8 A
  • 输入类型
    Standard
  • Время обратного восстановления (trr)
    40 ns
  • IGBT Тип
    Trench Field Stop
  • Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic
    2.1V @ 15V, 4A
  • Условия испытания
    400V, 4A, 50Ohm, 15V
  • Ток коллектора импульсный (Icm)
    12 A
  • Энергия переключения
    -
  • Заряд затвора
    13.5 nC
  • Td (включено/выключено) @ 25°C
    17ns/69ns
  • +86-755-82564498

{{ boxName }} ({{ dataList?.length || 0 }} Items)

{{ val.part_number }}

{{ val.manufacturer || val.en_manufacturer || '' }}

Количество: {{ val.quantity }}

Представлено

Он пуст.